精密貼片電阻在電路的選擇中應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間： 2022-06-29 
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強(qiáng)烈建議使用用于電路的SMD組件。一些電容器中甚至有薄膜結(jié)構(gòu)，當(dāng)受到尖銳的高電流脈沖時(shí)和類似于暴露于C2的電容器和在其介電層中經(jīng)歷壓電運(yùn)動(dòng)。有時(shí)，你甚至可以聽到這種電容器發(fā)出的“滴答”聲，這意味著由于壓電效應(yīng)會(huì)造成很大的損耗。
0.005Ω（5 mΩ），1％公差的TT electronics lob-3精密合金電阻器用作標(biāo)準(zhǔn)電阻器（R6）。
大多數(shù)元件的公差并不重要因?yàn)橛捎陔娐凡捎帽壤郎y(cè)量技術(shù)注意其穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)形式。這很容易被示波器或電壓表注意到但它應(yīng)該足夠大和以提供足夠長(zhǎng)的電流脈沖和電容器C2的值并不重要。
電容器應(yīng)采用低內(nèi)阻/電感的結(jié)構(gòu)技術(shù)，如層壓箔膜或陶瓷。如果電容取決于外加電壓，則應(yīng)避免使用多種類型的電容器，尤其是陶瓷電容器。并聯(lián)多個(gè)電容器以產(chǎn)生所需值和有必要的話可。
這兩個(gè)參數(shù)將影響測(cè)試電路的測(cè)量下限和另一個(gè)潛在限制是MOSFET的最大漏電流。
-元件本身及其連接的PCB布線為了降低寄生振蕩水平和電阻器R6和電容器C4應(yīng)具有非常低的電感。
很容易超過(guò)MOSFET Q1的絕對(duì)最大額定電壓和有時(shí)候電路布局不滿足這一要求的時(shí)候。對(duì)于驅(qū)動(dòng)器tc4422a的輸出上升/下降時(shí)間可以小于25 ns和6nf（柵極電容）的電容性負(fù)載；再加上通過(guò)電感器的產(chǎn)生的電壓和大電流（約100 a）幾乎會(huì)損壞任何MOSFET。
這對(duì)于將柵極布線至驅(qū)動(dòng)器（U2，引腳6至Q1底部）尤其重要和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)保持在1英寸以下。
出于同樣的原因電阻器RX和R6的連接應(yīng)盡可能接近相同的長(zhǎng)度和以盡量減少電感和電壓降。
必須使用兩端阻抗匹配良好的50Ω同軸電纜和電路的所有外部連接應(yīng)使用基本高頻實(shí)踐進(jìn)行設(shè)計(jì)。
0.005Ω（5 mΩ），1％公差的TT electronics lob-3精密合金電阻器用作標(biāo)準(zhǔn)電阻器（R6）。
大多數(shù)元件的公差并不重要因?yàn)橛捎陔娐凡捎帽壤郎y(cè)量技術(shù)注意其穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)形式。這很容易被示波器或電壓表注意到但它應(yīng)該足夠大和以提供足夠長(zhǎng)的電流脈沖和電容器C2的值并不重要。
電容器應(yīng)采用低內(nèi)阻/電感的結(jié)構(gòu)技術(shù)，如層壓箔膜或陶瓷。如果電容取決于外加電壓，則應(yīng)避免使用多種類型的電容器，尤其是陶瓷電容器。并聯(lián)多個(gè)電容器以產(chǎn)生所需值和有必要的話可。
這兩個(gè)參數(shù)將影響測(cè)試電路的測(cè)量下限和另一個(gè)潛在限制是MOSFET的最大漏電流。
-元件本身及其連接的PCB布線為了降低寄生振蕩水平和電阻器R6和電容器C4應(yīng)具有非常低的電感。
很容易超過(guò)MOSFET Q1的絕對(duì)最大額定電壓和有時(shí)候電路布局不滿足這一要求的時(shí)候。對(duì)于驅(qū)動(dòng)器tc4422a的輸出上升/下降時(shí)間可以小于25 ns和6nf（柵極電容）的電容性負(fù)載；再加上通過(guò)電感器的產(chǎn)生的電壓和大電流（約100 a）幾乎會(huì)損壞任何MOSFET。
這對(duì)于將柵極布線至驅(qū)動(dòng)器（U2，引腳6至Q1底部）尤其重要和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)保持在1英寸以下。
出于同樣的原因電阻器RX和R6的連接應(yīng)盡可能接近相同的長(zhǎng)度和以盡量減少電感和電壓降。
必須使用兩端阻抗匹配良好的50Ω同軸電纜和電路的所有外部連接應(yīng)使用基本高頻實(shí)踐進(jìn)行設(shè)計(jì)。
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溫漂：±50℃，±50℃，±50℃；
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抗性耐受性：±1%，±1%，±1%。
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大毅合金電阻RLM系列
尺寸：2512；
阻值：0.001Ω~0.06Ω；
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精度：±1%；
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華德合金電阻SFCA系列
尺寸范圍：1206~2512
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